<中国>半導体上場企業日本法人での膨大な末端市場を満たす自社LP−CVD、MOCVD、PVDの装置開発中堅エンジニア、エンジニアリーダーの求人
求人ID:1270671
募集終了
転職求人情報
職種
膨大な末端市場を満たす自社LP−CVD、MOCVD、PVDの装置開発中堅エンジニア
ポジション
エンジニア、エンジニアリーダー
おすすめ年齢
20代
30代
40代
50代以上
年収イメージ
年収:900万円 〜 1400万円
仕事内容
自社SiC−CVD、MOCVDの装置開発をお任せいたします。
<具体的には>
・自社SiC−CVD、MOCVD等新規装置の開発
・社内のプロセスエンジニアと協力し、その結晶成長プロセス・III−V属の化合物半導体のプロセスの研究
・末端のユーザー側と共同開発することと、自社研究開発チームを管理しプロセス研究を行うこと
【ポジションの魅力】
<本社は現在時価1,000億元(1.7兆円)の大企業。半導体分野における実績も充実>
私たちは、半導体関連の子会社を複数有しており、半導体業界の中で長きに渡る実績を持っているため、盤石な経営基盤のもと安心して働き続けていただけます。
<具体的には>
・自社SiC−CVD、MOCVD等新規装置の開発
・社内のプロセスエンジニアと協力し、その結晶成長プロセス・III−V属の化合物半導体のプロセスの研究
・末端のユーザー側と共同開発することと、自社研究開発チームを管理しプロセス研究を行うこと
【ポジションの魅力】
<本社は現在時価1,000億元(1.7兆円)の大企業。半導体分野における実績も充実>
私たちは、半導体関連の子会社を複数有しており、半導体業界の中で長きに渡る実績を持っているため、盤石な経営基盤のもと安心して働き続けていただけます。
必要スキル
【必須(MUST)】
●CVD、PVDの半導体用装置の開発・設計(メカ・電気・制御・プロセスのいずれか)のご経験が15年以上にある方
或いは半導体業界でプロセスサポートエンジニアとしてMOCVDの結晶成長プロセスに関する知識・III−V属の化合物半導体の知識・経験を15年以上にお持ちの方(半導体デバイス、半導体装置メーカーのいずれかの経験が望ましい)。
特に、GaN−On−GaN、GaN−On−Si、SiC−on−SiCのパワー半導体、高周波デバイスの装置開発・プロセス経験を15年以上にお持ちの方を最優先します。
・半導体レーザー、フォトダイオードに関連した化合物半導体業界であれば応募可
【歓迎(WANT)】
・中国語、英語でのコミュニケーションが可能な方(本国とのコミュニケーションで活用頂きます。)
・中国勤務可能の方
●CVD、PVDの半導体用装置の開発・設計(メカ・電気・制御・プロセスのいずれか)のご経験が15年以上にある方
或いは半導体業界でプロセスサポートエンジニアとしてMOCVDの結晶成長プロセスに関する知識・III−V属の化合物半導体の知識・経験を15年以上にお持ちの方(半導体デバイス、半導体装置メーカーのいずれかの経験が望ましい)。
特に、GaN−On−GaN、GaN−On−Si、SiC−on−SiCのパワー半導体、高周波デバイスの装置開発・プロセス経験を15年以上にお持ちの方を最優先します。
・半導体レーザー、フォトダイオードに関連した化合物半導体業界であれば応募可
【歓迎(WANT)】
・中国語、英語でのコミュニケーションが可能な方(本国とのコミュニケーションで活用頂きます。)
・中国勤務可能の方
就業場所
就業形態
正社員
企業名
半導体製造会社
企業概要
半導体製造会社
企業PR
業務カテゴリ
組織カテゴリ
備考
新規事業 海外事業 成果報酬型 管理職・マネージャー 完全土日休み