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【山梨/茨城】上場大手半導体メーカーにおけるPoMOSデバイス開発エンジニアの求人

求人ID:1270927

募集継続中

転職求人情報

職種

PoMOSデバイス開発エンジニア

ポジション

担当〜技師クラスまで(管理職未満)

おすすめ年齢

20代
30代
40代
50代以上

年収イメージ

年収想定:400万円〜750万円

仕事内容

パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計や200mmウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携

必要スキル

●人材要件
<MUST>
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
・200mmウェハプロセス開発経験 3年以上

<WANT>
・パワーデバイス(パワーMOS)開発経験 2年以上
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル

<必要な語学>
英語:読み書きができる
日本語:ビジネス会話ができる

就業場所

お問い合わせください。

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

組織カテゴリ

備考

●勤務予定地:
山梨県甲斐市/茨城県ひたちなか市

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