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【山梨／茨城】上場大手半導体メーカーにおけるPoMOSデバイス開発エンジニアの求人

求人ID:1270927

募集終了

転職求人情報

職種

PoMOSデバイス開発エンジニア

ポジション

担当〜技師クラスまで（管理職未満）

おすすめ年齢

20代

30代

40代

50代以上

年収イメージ

年収想定：400万円〜750万円

仕事内容

パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計や200mmウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携

必要スキル

●人材要件
＜MUST＞
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　3年以上
・200mmウェハプロセス開発経験　3年以上

＜WANT＞
・パワーデバイス（パワーMOS）開発経験　2年以上
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル

＜必要な語学＞
英語：読み書きができる
日本語：ビジネス会話ができる

就業場所

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

業務カテゴリ

その他（製造業）

組織カテゴリ

事業会社

備考

●勤務予定地：
山梨県甲斐市/茨城県ひたちなか市