上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス・プロセス開発の求人

求人ID:1261772

募集継続中

転職求人情報

職種

パワーデバイス・プロセス開発

ポジション

課長級（管理職クラス）

年収イメージ

年収想定：800万円〜1000万（月給41万〜）

仕事内容

【募集の背景】

当社では、パワーMOSやIGBT、SiCなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。
これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。

パワーデバイス・プロセス開発におけるマネジメント

・次世代構想検討、開発試作および評価、製品量産化に至る開発プロジェクト推進
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築等に関する指揮・指導
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証等の多部門との連携

必要スキル

Must：
・デバイス構造設計やウェハプロセス開発の業務経験（パワーデバイス以外でも可）　5年以上
・プロジェクトマネジメント経験（パワーデバイス以外でも可）　2年以上

Want：
・パワーデバイス開発の業務経験

英語：ビジネス会話ができる (TOEIC 600点程度)
日本語：ビジネス会話ができる

就業場所

お問い合わせください。

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

業務カテゴリ

設計(電気・電子)

組織カテゴリ

[事業会社]

備考

那珂工場（ひたちなか市）または西条工場（愛媛県）

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