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上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス・プロセス開発の求人

求人ID:1261772

募集継続中

転職求人情報

職種

パワーデバイス・プロセス開発

ポジション

課長級(管理職クラス)

おすすめ年齢

40代
50代以上

年収イメージ

年収想定:800万円〜1000万(月給41万〜)

仕事内容

【募集の背景】

当社では、パワーMOSやIGBT、SiCなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。
これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。

パワーデバイス・プロセス開発におけるマネジメント

・次世代構想検討、開発試作および評価、製品量産化に至る開発プロジェクト推進
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築等に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証等の多部門との連携

必要スキル

Must:
・デバイス構造設計やウェハプロセス開発の業務経験(パワーデバイス以外でも可) 5年以上
・プロジェクトマネジメント経験(パワーデバイス以外でも可) 2年以上

Want:
・パワーデバイス開発の業務経験

英語:ビジネス会話ができる (TOEIC 600点程度)
日本語:ビジネス会話ができる

就業場所

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

業務カテゴリ

組織カテゴリ

備考

那珂工場(ひたちなか市)または西条工場(愛媛県)

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