メニュー

上場大手半導体メーカーにおける超高性能パワーMOSデバイス・プロセス開発/求人ID:1244089

株式会社コトラ
募集継続中
職種
超高性能パワーMOSデバイス・プロセス開発
ポジション
担当者〜
おすすめ年齢
20代
30代
40代
50代以上
年収イメージ
年収想定:800万円〜1000万円(月給41万〜)
仕事内容
パワーMOSデバイス・プロセス開発をリード

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など 
 多部門との連携、交渉
必要スキル
Must:

・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・パワーMOSのデバイス構造設計やプロセス開発経験 5年以上
・200mmまたは300mmウェハプロセス開発経験 3年以上

Want:

・パワー実装技術に関する知識
・パワーシステムに関する知識

英語:ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)

日本語:ビジネス会話ができる
就業場所
茨城県
就業形態
正社員
企業名
グローバル電子部品メーカー
企業概要
グローバル電子部品メーカー
企業PR
組織カテゴリ
備考
茨城県または愛媛県
関連キーワード
応募ありがとうございました。コンサルタントからご連絡します
応募出来ませんでした。恐れ入りますがもう一度やり直してください
お気に入りに登録しました
お気に入りに登録出来ませんでした。恐れ入りますがもう一度やり直してください