上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス 設計エンジニア (IGBT)の求人
求人ID:1255587
募集終了
転職求人情報
職種
パワーデバイス 設計エンジニア (IGBT)
ポジション
担当者〜
おすすめ年齢
20代
30代
40代
50代以上
年収イメージ
応相談(経験・能力を考慮の上当社規定により決定)
仕事内容
・車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発
・対象製品 パワーデバイス (IGBT/FRD)
●主担当業務
パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
・対象製品 パワーデバイス (IGBT/FRD)
●主担当業務
パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発
必要スキル
●Must要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の基礎知識
●Want要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経験
・市場、アプリケーションの基礎知識
・化合物半導体(SiC,GaNなど)の基礎知識
●語学力
英語:読み書きができる
日本語:ビジネス会話ができる
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の基礎知識
●Want要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経験
・市場、アプリケーションの基礎知識
・化合物半導体(SiC,GaNなど)の基礎知識
●語学力
英語:読み書きができる
日本語:ビジネス会話ができる
就業場所
就業形態
正社員
企業名
グローバル電子部品メーカー
企業概要
グローバル電子部品メーカー