メニュー

上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス 設計エンジニア (IGBT)
求人ID:1268066

募集継続中

転職求人情報

職種

パワーデバイス 設計エンジニア (IGBT)

ポジション

技師(非管理職)

おすすめ年齢

20代
30代
40代
50代以上

年収イメージ

年収想定:600万円〜830万円(33万/月〜)

仕事内容

職務内容
・車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発
・対象製品 パワーデバイス (IGBT/FRD)
・主担当業務
パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発

必要スキル

●Must要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の基礎知識

●Want要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経
・市場、アプリケーションの基礎知識
・化合物半導体(SiC,GaNなど)の基礎知識

●語学力
英語:読み書きができる

就業場所

群馬県

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

組織カテゴリ

備考

関連キーワード

応募ありがとうございました。コンサルタントからご連絡します
応募出来ませんでした。恐れ入りますがもう一度やり直してください
お気に入りに登録しました
お気に入りに登録出来ませんでした。恐れ入りますがもう一度やり直してください