上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス 設計エンジニア (IGBT)の求人

職務内容
・車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発
・対象製品　パワーデバイス　（IGBT/FRD）
・主担当業務
パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発

●Must要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス（IGBT,FRD,MOSFET）の基礎知識

●Want要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経
・市場、アプリケーションの基礎知識
・化合物半導体(SiC,GaNなど）の基礎知識

●語学力
英語：読み書きができる