【山梨/茨城】上場大手半導体メーカーにおけるPoMOSデバイス開発エンジニアの求人
求人ID:1270927
募集終了
転職求人情報
職種
PoMOSデバイス開発エンジニア
ポジション
担当〜技師クラスまで(管理職未満)
おすすめ年齢
20代
30代
40代
50代以上
年収イメージ
年収想定:400万円〜750万円
仕事内容
パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計や200mmウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計や200mmウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携
必要スキル
●人材要件
<MUST>
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
・200mmウェハプロセス開発経験 3年以上
<WANT>
・パワーデバイス(パワーMOS)開発経験 2年以上
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル
<必要な語学>
英語:読み書きができる
日本語:ビジネス会話ができる
<MUST>
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
・200mmウェハプロセス開発経験 3年以上
<WANT>
・パワーデバイス(パワーMOS)開発経験 2年以上
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル
<必要な語学>
英語:読み書きができる
日本語:ビジネス会話ができる
就業場所
就業形態
正社員
企業名
グローバル電子部品メーカー
企業概要
グローバル電子部品メーカー
企業PR
業務カテゴリ
組織カテゴリ
備考
●勤務予定地:
山梨県甲斐市/茨城県ひたちなか市
山梨県甲斐市/茨城県ひたちなか市