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【埼玉】大手電気機器メーカーでの半導体デバイス(ディスクリート)開発の求人

求人ID:1312010

募集継続中

転職求人情報

職種

半導体デバイス(ディスクリート)開発

ポジション

担当者〜

おすすめ年齢

50代以上

年収イメージ

400万円〜800万円

仕事内容

ご経験に応じて下記いずれか、あるいは複数の業務をアサインさせていただきます。
・実機動作を再現できる回路シミュレータの開発
(回路にマッチしたデバイス特性をシミュレーションから求める)
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETの製品開発業務
(顧客との製品仕様整合、製品設計、マスク設計、試作、製品評価)
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務
(プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価)

●電子デバイス事業部について:
当社売上の約40%を占める事業で、産業機器(産業用ロボット、電動工具、フォークリフト/建設機械等)や白物家電等向けのパワー半導体を開発をしています。

●案件の魅力:
・クオリティの高い解析業務ができます。車載用半導体デバイスは運転者や搭乗者の安全を支えるもののため、非常に高いレベルの品質や安全性が要求されます。そのため、高い品質が求められる環境の中で設計ができ、技術者としてのスキル向上が期待できます。
・市場ニーズの高い製品を扱うことができます。リチウムイオン電池の技術進化と環境意識の高まりなどを受け、車載用電装市場においても急速に電動化が進んでいます。そうした中で、デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでおり、当社の存在意義も高まっています。

●企業の魅力:
・電装/新エネルギー/電子デバイスの3事業で多角経営し、業績のバランスを保っています。また、事業部ごとにシェアNo.1製品を保有しています。
・年間休日130日、平均有給取得率も60%程度とワークライフバランスが整っています。また、業務以外のサークル活動なども充実しており、希望者は就業後やオフにも部門を越えスポーツや趣味を充実させることもできます。

必要スキル

●必須条件:下記いずれかを満たす方
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又はデバイス開発経験
・半導体デバイスのデバイス特性の特定などシミュレーション実務やシミュレーションプロセス、装置の開発経験

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

就業場所

就業形態

正社員

企業名

大手電気機器メーカー

企業概要

半導体、電装製品、電源の製造及び販売

企業PR

組織カテゴリ

備考

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